产品
碳化硅模块包括碳化硅MOSFET和碳化硅二极管。升压模块应用于DC-DC级太阳能逆变器。这些模块使用碳化硅MOSFET和碳化硅二极管，额定电压1200V。
完整的碳化硅端到端供应链
我们内部具有从衬底组装到封装的完整供应链条，保障对客户的碳化硅器件供应，支持可持续生态系统的迅速增长。
质量和可靠性
安森美保证EliteSiC碳化硅产品的质量和可靠性
碳化硅已并非全新的陌生材料，但是行业积累的生产数据仍不及硅的数据充分完整。我们对碳化硅产品实施质量和可靠性测试程序，确保我们能向客户交付高质量、高可靠性的碳化硅产品。
碳化硅端到端生产能力，助力可持续未来
我们端到端的生产能力有助于推动可持续未来。安森美（onsemi）EliteSiC系列碳化硅产品，以及端到端的碳化硅生产能力，为您提供具备出色性能和坚实品质的产品。
碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时，在实验室偶然发现的一种碳化物，当时误认为是金刚石的混合体，故取名金刚砂，1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法，也就是大家常说的艾奇逊炉，一直沿用至今，以碳质材料为炉芯体的电阻炉，通电加热石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。
关于碳化硅的几个事件
1905年 次在陨石中发现碳化硅。
1907年 只碳化硅晶体发光二极管诞生。
1955年 理论和技术上重大突破，LELY提出生长高品质碳化概念，从此将SiC作为重要的电子材料。
1958年 在波士顿召开次世界碳化硅会议进行学术交流。
1978年 六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年采用“LELY改进技术”的晶粒提纯生长方法。
1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始提供商品化的碳化硅基。 |
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